随着全球对更智能、华邦更快速电子系统需求的电客不断增长，半导体产业面临双重挑战：在提升性能的制化助力展同时降低环境影响。华邦电子正面临着这一挑战，内存将#可持续发展理念融入其运营的解决每一个层面——从#绿色制造流程到专为#AI、#汽车及#工业应用设计的可持低功耗内存创新。
华邦最重要的华邦创新之一是#客制化内存解决方案（Customized Memory Solution, CMS） —— 一项面向应用定制性能与功耗效率的下一代 DRAM产品组合。CMS 源于华邦深厚的电客 DRAM 技术积累，融合先进的制化助力展低功耗架构与 3D 封装技术（如 KGD 2.0），满足边缘 AI、内存工业自动化、解决智能城市与医疗系统的可持需求。
绿色制造，华邦始于晶圆厂
华邦电子位于中国台湾中部科学园区的电客晶圆厂是目前业内最节能的半导体工厂之一。该工厂以可持续发展为核心建造，制化助力展目前已实现 90% 可再生电力使用，相较 2021 年碳排放减少达 60%。其无尘室与动力系统依 ISO 50001 能源管理标准优化，并获得 ISO 14064-1 与 ISO 14067 等认证，以确保工厂与产品层面的碳排放可被精准追踪。
CMS 在华邦获得绿色认证的工厂中制造，是其可持续产品策略的核心之一。每颗 CMS 装置皆受益于以 90% 再生能源供电的供应链，并透过自有的碳会计系统进行追踪，全面揭露范围一、二、三（Scope 1, 2, 3）温室气体排放。
华邦承诺在 2030 年达成 RE50 目标，全球能源消费有一半来自再生能源。其数字化碳盘查系统不仅对自身，也为客户提供供应链碳足迹的可视化。
011.2V Serial NOR Flash业界首款超低电压串行闪存
系统节能始于元件设计。华邦的 1.2V Serial NOR Flash 是全球首款量产的低电压串行闪存，采用 45nm 制程，显著降低工作与待机功耗，适用于智能电表、穿戴式装置与医疗监测等电池供电产品。这款 Flash 可减少对电压转换器的依赖，延长电池寿命，让系统设计更高效、更环保。
02GP-Boost DRAM为边缘智能打造高带宽、低功耗内存
GP-Boost DRAM 适用于机器视觉、实时工业控制及 AI 感测节点等边缘高速数据处理应用。基于 20nm 与先进的 16nm 制程，该产品提供高带宽与热稳定性，同时保持低功耗表现。
无需主动散热或庞大能源支持，GP-Boost DRAM 是车用与工业市场的理想内存解决方案。CMS 已广泛部署于智能工厂自动化、电动车充电器、医疗设备、安全系统、智能家庭及智能城市感测节点，协助延长设备寿命、降低功耗，并支持多领域碳排放减少目标。
03OctalNAND 与 SLC NAND为严苛环境打造的高可靠闪存
在汽车、工业自动化、工厂控制等关键任务系统中，需具备高耐用性的内存产品。华邦的 OctalNAND 与 SLC NAND Flash 专为承受高温差、频繁读写及长时间运行而设计。
内建坏块管理、支持 OTA（Over-the-air, 在线韧体更新），并符合功能安全要求，可有效降低故障率与现场维修频率，减少环境负担与维修成本。
04TrustME Secure Flash兼顾安全与节能的嵌入式防护
随着嵌入式系统日益互联，安全与可持续发展密不可分。华邦的 TrustME Secure Flash 支援固件安全存储、加密金钥保护与验证式 OTA 更新，具备低功耗特性，适合边缘与车用环境。
Secure Flash 透过 OTA 安全更新机制，有效延长装置生命周期、降低维修频率与碳排放，提升整体可持续性与系统安全。
ESG 与技术创新的坚定承诺
华邦电子将 ESG 原则深植全球营运中，从原料采购到晶圆厂运营。
同时，华邦设有 ESG 委员会，策略对齐全球标准，包括 TCFD、RBA、GHG Protocol 等，并发布年度碳排放、能源使用、供应链风险等报告。
环境管理绩效获以下国际认证
ISO 14001（环境管理系统）
ISO 14064-1（温室气体盘查）
ISO 14067（产品碳足迹）
ISO 14046（水足迹）
ISO 50001（能源管理系统）
ISO 45001（职业健康与安全）
无论是率先使用绿电、推出超低功耗内存产品如 1.2V NOR Flash、GP-Boost DRAM 或 CMS，华邦都协助客户降低终端产品碳足迹，以实际行动打造更可持续、有韧性的半导体未来。
性能与可持续兼顾的智能内存创新
华邦的可持续半导体策略根植于三大支柱：绿色工厂、绿色产品、绿色伙伴关系。凭借技术创新与可衡量的可持续发展成果，华邦赋能 OEM 与开发者打造更智能、更快速、更具环保意识的系统，涵盖 AI 视觉模组、电动车、智能家居与工业控制器等领域。
不论是延长电池寿命、提升热效能、保护 OTA 更新安全，或是达成环保法规合规，华邦都为今日高效能、低影响的设计提供最关键的内存基础。
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